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ホーム > 製品情報:分光計測機器 > インプロセス用評価機器 > 半導体プロセス > 分光干渉式ウェーハ厚み計 SF-3

分光干渉式ウェーハ厚み計 SF-3

ウェーハ等の研削研磨プロセスを非接触でウェーハや樹脂の超高速リアルタイム・高精度 に測定

製品情報

特 長
  • 非接触、非破壊で厚み測定が可能
  • 反射光学系(片側からのコンタクトで測定が可能)
  • 高速性(最速5kHz)且つリアルタイム評価が可能
  • 高い安定性(繰返し精度 0.01%以下)を実現
  • 粗さやハイドープに強い
  • 任意距離に対応が可能
  • 多層構造に対応(最大5層)
  • NGデータ排除機能を内蔵
  • 距離(形状)測定が可能(組込センサー用付属オプション) *
                                                            *測定レンジ内の光学距離測定による

5つの特長

 

測定項目
  • 厚み測定(5層)

 

用途
  • 各種ウェーハ厚み(Silicon、その他化合物ウェーハ)
  • 各種 研削・研磨・貼り合わせなどへのプロセス組込
  • ウェーハ以外の厚膜部材厚み

 

半導体プロセスへの組み込み例
■ CMPプロセス

 

 

 

■ テンポラリーボンディング

 

 

 

■ バックグラインド

 

 

 

■ ウェットエッチング

 

 

 

仕 様

SF-3仕様

*1 : 測定条件および解析条件により最小サンプリング周期は異なります。 
*2 : 製品出荷基準の保証値スペックとなり、当初基準サンプルAirGap約300μmと
         約1000μm測定時の相対標準偏差(n = 20) 
*3 : WD50mmプローブ仕様時の設計値 
*4 : 特別仕様 
*5 : 薄膜測定時に使用 
※CE取得品はSF-3/300、SF-3/1300 

装置構成

 

オプション

■R-θ駆動オートマッピング

 

 

 

■X-Y駆動オートマッピング

 

 

 

測定例

測定例
サポートウェーハ付き仮貼り合わせウェーハ

12inchウェーハ厚み測定

 

 

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