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ホーム > 製品情報:分光計測機器 > インプロセス用評価機器 > 半導体プロセス > 分光干渉式ウェーハ厚み計 SF-3

分光干渉式ウェーハ厚み計 SF-3

ウェーハ基板の研磨プロセス、TTVコントロール中の厚みをリアルタイムに計測

製品情報

特 長
  • 光学式により非接触・非破壊での厚み測定が可能
  • スペクトル解析後による条件出し
  • 高速でリアルタイムに研磨モニタが可能
  • 保護フィルム、窓材など中間層越しの計測が可能
  • 多層厚み解析
  • 独自解析エンジンを搭載(特許出願中)
  • 厚み測定に最適な独自の解析アルゴリズムを採用(特許取得済み)
  • 厚み分布を自動でマッピング可能

 

測定項目
  • 膜厚解析(5層)

 

用 途
  • Si部材の厚み評価
  • シリコン、化合物半導体の研削評価用
  • 1.3mm 次世代450mmウェーハ
  • 775μm 300mmウェハ
  • TSVウェーハ(ビア上Si膜やSi層膜測定)
  • シリコンウェーハ以外の素材にも幅広く対応(SiO2、樹脂膜)

仕 様

仕 様
型式 SF-3
厚み測定範囲 0.1μm~10μm、15μm~1000μm、10μm~775μm *、50μm~1600μm*
繰り返し精度 0.01%以下
測定時間 最速200μs(5kHz)
測定用光源 半導体光源
測定径 最小φ6μm
WD 10mm以上の任意の距離による
寸法 123(W)×224(D)×128(H)mm(突起物を除く)

* ただし表面状態による

装置構成

装置構成

SF-3装置構成

 

オプション

SF-3Rθ

SF-3RΘ

12インチウェーハ以下高速マッピング可能なコンパクトマッピング仕様
高速Rθステージ SF-3Rθ

 

特 長
  • Rθ可動軸による高速マッピング仕様
  • コンパクト設計マッピングステージ
  • 半導体プロセス装置への組込み可能(組込みマッピング仕様)
  • オリフラ、ノッチの画像認識機能
  • 分光干渉法により非接触・非破壊で高い再現性を実現
  • 貼り合せウェハの薄膜ボンディング、Si厚み、サポート基板のトータル厚み測定
  • 多層厚み測定が可能
  • オリフラ、ノッチの画像認識によるウェーハ面内高精度位置決めを実現 

 

SF-3AA

SF-3AA

ウェーハ厚みマッピングシステム
SF-3AA

 

特 長
  • 微細パターンをアライメントし、ウェーハ厚みや各種厚み情報を提供します
  • 高精度X-Y位置決めステージ(±2um以下)を実装し、高精度な位置決めを実現します
  • MEMSやセンサーデバイスなど、6インチウェーハに対応します
    (Option:8及び12インチ対応可能)
  • ウェーハ形状以外にも対応可能です

 

SF-300AAF

SF-300AAF

300mm対応高速ウェーハ厚みマッピングシステム
SF-300AAF

 

特 長
  • 300mmEFEMユニット予備portへのインテグレーションに対応します
  • ウェーハに埋め込んだ配線パターンのパターンアライメントを実現します(IRカメラ)
  • 半導体プロセスの高スループット要求に対応します
  • ノッチプリアライメント機能に対応します
  • 小フットプリント(W475mm×D555mm)仕様です

 

仕 様
名称 高速ウェーハ厚み
マッピングシステム
ウェーハ厚み
マッピングシステム
300mm高速ウェーハ厚み
マッピングシステム
型式 SF-3Rθ SF-3AA SF-300AAF
光学系 プローブ+CCDカメラ 同軸顕微ヘッド+IRカメラ
最大ウェーハ
サイズ (mm)
300以下 300のみ
ウェーハ
角度補正
有り
パターン
アライメント
無し 有り
ウェーハ
厚み範囲
SF-3厚みセンサー仕様に準じる
装置サイズ
W×D×H
(mm)

本体:約465x615x540
コントローラ:
約430x430x210

本体:約570x700x680
コントローラ:
約500x177x273
約475x555x1620
*データ処理PC内蔵
(ディスプレイ・キーボード除く)

 

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