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ホーム > 製品情報:分光計測機器 > インプロセス用評価機器 > フィルム成膜プロセス > 分光干渉式ウェーハ厚み計 SF-3

分光干渉式ウェーハ厚み計 SF-3

ウェーハ基板の研磨プロセス、TTVコントロール中の厚みをリアルタイムに計測

製品情報

特 長
  • 光学式により非接触・非破壊での厚み測定が可能
  • スペクトル解析後による条件出し
  • 高速でリアルタイムに研磨モニタが可能
  • 保護フィルム、窓材など中間層越しの計測が可能
  • 多層厚み解析
  • 独自解析エンジンを搭載(特許出願中)
  • 厚み測定に最適な独自の解析アルゴリズムを採用(特許取得済み)
  • 厚み分布を自動でマッピング可能

 

測定項目
  • 膜厚解析(5層)

 

用 途
  • Si部材の厚み評価
  • シリコン、化合物半導体の研削評価用
  • 1.3mm 次世代450mmウェーハ
  • 775μm 300mmウェハ
  • TSVウェーハ(ビア上Si膜やSi層膜測定)
  • シリコンウェーハ以外の素材にも幅広く対応(SiO2、樹脂膜)

仕 様

仕 様
型式 SF-3
厚み測定範囲 0.1μm~10μm、15μm~1000μm、10μm~775μm *、50μm~1600μm*
繰り返し精度 0.01%以下
測定時間 最速200μs(5kHz)
測定用光源 半導体光源
測定径 最小φ6μm
WD 10mm以上の任意の距離による
寸法 123(W)×224(D)×128(H)mm(突起物を除く)

* ただし表面状態による

装置構成

装置構成

SF-3装置構成

 

SF-3Rθ

SF-3RΘ

12インチウェーハ以下高速マッピング可能なコンパクトマッピング仕様
高速Rθステージ SF-3Rθ

 

特 長
  • Rθ可動軸による高速マッピング仕様
  • コンパクト設計マッピングステージ
  • 半導体プロセス装置への組込み可能(組込みマッピング仕様)
  • オリフラ、ノッチの画像認識機能
  • 分光干渉法により非接触・非破壊で高い再現性を実現
  • 貼り合せウェハの薄膜ボンディング、Si厚み、サポート基板のトータル厚み測定
  • 多層厚み測定が可能
  • オリフラ、ノッチの画像認識によるウェーハ面内高精度位置決めを実現 

 

仕 様
型式 SF-3Rθ
光学系 光学プローブ
厚み測定範囲 0.5 ~ 1600μm *
可動軸
測定径 φ6、φ9、φ500μm
ステージ面サイズ φ300mm
可動軸ストローク R軸:±150mm、θ軸:360°
ウェーハサイズ 300mm以下
計測時間 61ポイント/60s以下
最大駆動速度 150mm/s
ステージ分解能 10μm以下
繰り返し位置決め精度 50μm以下
その他機能  画像処理によるオリフラ及びノッチ合わせ機能
吸着 あり
特注 アライメント対応、ローダ対応

* 分光器のタイプに依存

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