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分光干渉式ウェーハ厚み計 SF-3

ウェーハ基板の研磨プロセス、TTVコントロール中の厚みをリアルタイムに計測

製品情報

特 長
  • 非接触、非破壊で厚み測定が可能
  • 反射光学系(片側からのコンタクトで測定が可能)
  • 高速性(最速5kHz)且つリアルタイム評価が可能
  • 高い安定性(繰返し精度 0.01%以下)を実現
  • 粗さやハイドープに強い
  • 任意距離に対応が可能
  • 多層構造に対応(最大5層)
  • NGデータ排除機能を内蔵
  • 距離(形状)測定が可能* (組込センサー用付属オプション)
                     *測定レンジ内の光学距離測定による

 

測定項目
  • 厚み測定(5層)

 

用 途
  • 各種ウェーハ厚み(Silicon、その他化合物ウェーハ)
  • 各種 研削・研磨・貼り合わせなどへのプロセス組込
  • ウェーハ以外の厚膜部材厚み

仕 様

仕 様
型式 SF-3/200 SF-3/300 SF-3/1300 SF-3/BB
シリコン測定厚み範囲 (μm) 5~400 10~775 50~1300 5~775
樹脂厚み範囲 (μm) 10~1000 20~1500 100~2600 10~1500
最小サンプリング周期 (kHz) 5(200μs) -
繰り返し精度(%) 0.01%以下
測定スポット径(μm) 約φ20以上*1
測定距離 (mm) 50,80,120,150,200
光源 半導体光源(クラス3B相当)
解析方法 FFT解析、最適化法*2
サイズ W×H×D (mm) 123×128×224 320×200×300(検出器)
260×70×300(光源)

*1 WD50mmプローブ仕様時の設計値
*2 薄化ウェーハ測定時に使用
* CE取得品はSF-3/300,SF-3/1300

 

装置構成

装置構成

SF-3装置構成

 

オプション

SF-3Rθ

SF-3RΘ

12インチウェーハ以下高速マッピング可能なコンパクトマッピング仕様
高速Rθステージ SF-3Rθ

 

特 長
  • Rθ可動軸による高速マッピング仕様
  • コンパクト設計マッピングステージ
  • 半導体プロセス装置への組込み可能(組込みマッピング仕様)
  • オリフラ、ノッチの画像認識機能
  • 分光干渉法により非接触・非破壊で高い再現性を実現
  • 貼り合せウェハの薄膜ボンディング、Si厚み、サポート基板のトータル厚み測定
  • 多層厚み測定が可能
  • オリフラ、ノッチの画像認識によるウェーハ面内高精度位置決めを実現 

 

SF-3AA

SF-3AA

ウェーハ厚みマッピングシステム
SF-3AA

 

特 長
  • 微細パターンをアライメントし、ウェーハ厚みや各種厚み情報を提供します
  • 高精度X-Y位置決めステージ(±2um以下)を実装し、高精度な位置決めを実現します
  • MEMSやセンサーデバイスなど、6インチウェーハに対応します
    (Option:8及び12インチ対応可能)
  • ウェーハ形状以外にも対応可能です

 

SF-300AAF

SF-300AAF

300mm対応高速ウェーハ厚みマッピングシステム
SF-300AAF

 

特 長
  • 300mmEFEMユニット予備portへのインテグレーションに対応します
  • ウェーハに埋め込んだ配線パターンのパターンアライメントを実現します(IRカメラ)
  • 半導体プロセスの高スループット要求に対応します
  • ノッチプリアライメント機能に対応します
  • 小フットプリント(W475mm×D555mm)仕様です

 

仕 様
名称 高速ウェーハ厚み
マッピングシステム
ウェーハ厚み
マッピングシステム
300mm高速ウェーハ厚み
マッピングシステム
型式 SF-3Rθ SF-3AA SF-300AAF
光学系 プローブ+CCDカメラ 同軸顕微ヘッド+IRカメラ
最大ウェーハ
サイズ (mm)
300以下 300のみ
ウェーハ
角度補正
有り
パターン
アライメント
無し 有り
ウェーハ
厚み範囲
SF-3厚みセンサー仕様に準じる
装置サイズ
W×D×H
(mm)

本体:約465x615x540
コントローラ:
約430x430x210

本体:約570x700x680
コントローラ:
約500x177x273
約475x555x1620
*データ処理PC内蔵
(ディスプレイ・キーボード除く)

 

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