Si、SiC、SOI等の研削研磨プロセスにおいて、ウェーハ厚み分布、ボンディング層厚み分布、各種製膜層の厚み分布（例：Si、酸化膜、窒化膜、SiC、SOIなど）を非接触で超高速・高精度に測定を行います。

Si、SiC、SOI等の研削研磨プロセスにおいて、ウェーハ厚み分布、ボンディング層厚み分布、各種製膜層の厚み分布（例：Si、酸化膜、窒化膜、SiC、SOIなど）を非接触で超高速・高精度に測定を行います。

300mm基板自動搬送装置（EFEMユニット）の予備ポートに取りつけることができる小フットプリントの膜厚測定システムです。高精度な測定位置決め機能を持ち、ウェーハ厚み分布、ボンディング層厚み分布、各種製膜層の厚み分布（例：Si、酸化膜、窒化膜、Resist、SiC、SOIなど）を高速に測定することが可能です。

ウェーハ面内の膜厚分布（例：酸化膜、窒化膜、Resistなど）を高速測定可能な装置です。300mmステージにも対応可能です。顕微分光を用いた微小領域での絶対反射率測定により、高精度な膜厚・光学定数解析が可能な装置です。ウェーハ上の酸化膜、窒化膜、Resistなどの厚みや多層膜を非破壊・非接触で測定できます。測定時間は1秒/ポイントの高速測定が可能です。また初めての方でも簡単に光学定数の解析ができるソフトウェアを搭載しています。

Si、SiC、SOI等の研削研磨プロセスにおいて、ウェーハ厚み分布、ボンディング層厚み分布、各種製膜層の厚み分布（例：Si、酸化膜、窒化膜、SiC、SOIなど）を非接触で超高速・高精度に測定を行います。

顕微分光を用いた微小領域での絶対反射率測定により、高精度な膜厚・光学定数解析が可能な装置で、お客様のラインや測定ステージに組み込みが可能です。
ウェーハ基板上のコーティング膜（例：酸化膜、窒化膜、Resistなど）の厚みや多層膜を非破壊・非接触で測定できます。測定時間は1秒/ポイントの高速測定が可能です。

生産現場においてウェーハ面内の膜厚分布（例：酸化膜、窒化膜、Resistなど）を漏れなく2次元測定できる装置です。独自の分光干渉法に新たに開発した高精度膜厚演算処理技術を組み合わせることで、最短0.01秒毎の測定間隔で500mm幅（1台使用時）の膜厚測定が可能です。

マルチチャンネル分光器（MCPD）、投受光用Y型ファイバー、そして豊富なオプションユニットの組み合わせによりインライン膜厚（例：酸化膜、窒化膜、Resistなど）測定に対応いたします。製膜、研磨など膜厚変化のリアルタイムモニターとしてもお使いいただけます。

紫外可視（300～800nm）の波長領域でのエリプソパラメータ（tanψ、cosΔ）測定が可能なため、高精度な薄膜解析が可能です。測定角度の自動可変機構を実装させることにより、あらゆる種類の薄膜にも対応しております。従来の回転検光子法に加え、位相差板の自動脱着機構を設けることにより、測定精度を向上させました。
高精度な薄膜解析が可能な分光エリプソメトリーに加え、測定角度の自動可変機構を実装させることにより、あらゆる種類の薄膜にも対応しております。従来の回転検光子法に加え、位相差板の自動脱着機構を設けることにより、測定精度を向上させました。

ウェーハへの製膜（例：酸化膜、窒化膜、Resistなど）の研究開発や品質管理の抜き取り検査に、オフラインで簡単に漏れなく2次元測定できる装置です。全面を高速かつ高精度に測定可能です。

マルチチャンネル分光器（MCPD）、投受光用Y型ファイバー、そして豊富なオプションユニットの組み合わせによりインライン膜厚（例：酸化膜、窒化膜、Resistなど）測定に対応いたします。製膜、研磨など膜厚変化のリアルタイムモニターとしてもお使いいただけます。

高精度な光干渉法による膜厚測定を簡単操作で実現した小型で低価格な膜厚計です。
必要な機器を本体部に収納したオールインワンタイプの筺体を採用し、安定したデータの取得を実現しました。（例：酸化膜、窒化膜、Resistなど）
低価格でありながらも絶対反射率の取得により、光学定数の解析も可能です。