検索

分光エリプソメータ
FE-5000 series

高精度な薄膜解析が可能な分光エリプソメトリーに加え、測定角度の自動可変機構を実装させることにより、あらゆる種類の薄膜にも対応しております。従来の回転検光子法に加え、位相差板の自動脱着機構を設けることにより、測定精度を向上させました。
分光エリプソメータ　FE-5000 series お問い合わせ
測定項目
  • エリプソパラメータ(tanψ、cosΔ)測定
  • 光学定数(n：屈折率 , k：消衰係数)解析
  • 膜厚解析
測定対象
  • 半導体ウェーハ
  • 化合物半導体
  • FPD
  • 各種新素材
  • 光学薄膜
  • リソグラフィー分野
特長
  • 紫外可視（300～800nm）の波長領域でのエリプソパラメータ測定が可能
  • ナノメータオーダーの多層薄膜の膜厚解析が可能
  • 400ch以上のマルチチャンネル分光法によるエリプソスペクトルの迅速測定が可能
  • 反射角度可変測定により、薄膜の詳細な解析に対応
  • 光学定数のデータベース化およびレシピ登録機能の追加により操作性がアップ
分光エリプソメータ　FE-5000 series
お問い合わせ

分光エリプソメータ FE-5000 seriesとは

高精度な薄膜解析が可能な分光エリプソメトリーに加え、測定角度の自動可変機構を実装させることにより、あらゆる種類の薄膜にも対応しております。従来の回転検光子法に加え、位相差板の自動脱着機構を設けることにより、測定精度を向上させました。

測定項目

エリプソ
パラメータ
（tanψ、cosΔ）
測定

光学定数
(n：屈折率 , k：消衰係数 ) 解析

膜厚解析

測定対象

半導体ウェーハ

  • ゲート酸化薄膜窒化膜SiO2SixOySiNSiONSiNxAl2O3SiNxOypoly-SiZnSeBPSGTiNレジストの光学定数(波長分散)

化合物半導体

  • AlxGa(1-x)As 多層膜アモルファスシリコン

FPD

  • 配向膜

各種新素材

  • DLC(Diamond Like Carbon)超伝導用薄膜磁気ヘッド薄膜

光学薄膜

  • TiO2SiO2反射防止膜

リソグラフィー分野

  • g線(436nm)h線(405nm)i線(365nm)などの各波長におけるn，k評価

測定例

原理

仕様

型式

FE-5000 series
測定方式

回転検光子法※1

測定膜厚範囲（nd）

0.1nm～1μm

入射（反射）角度範囲

45～90°

入射（反射）角度駆動方式

自動サインバー駆動方式

tanψ測定正確さ

±0.01以下

cosΔ測定正確さ

±0.01以下
膜厚の繰り返し再現性 0.01%以下※2
波長範囲※3 300～800nm
測定用光源 高安定キセノンランプ
ステージ駆動方式 手動/自動

※1：ｋ偏光子駆動可能、不感帯に有効な位相差板着脱可能です。

※2：VLSIスタンダードSiO2膜（100nm）を用いた場合の値です。

※3：自動ステージ選択時の値です。

製品一覧に戻る
サポートに関するお問い合わせ

Contact お問い合わせ

お気軽にご依頼・ご相談ください

　　　　

大塚電子の会員サイト

「大塚電子会員サイト」では、様々なサービスをご利用いただけます。
皆様の専門知識の向上と実務のサポートを目指して、今後も様々なコンテンツを提供してまいります。
詳しくはこちら

会員サイトの主な機能

  • 製品カタログ・技術資料・
    ダウンロード

  • Webセミナーや製品紹介など
    会員限定動画が更新中

  • 技術相談や測定支援・受託分析
    予約受付

お気軽にご依頼・ご相談ください

お問い合わせはこちら

資料ダウンロード

資料一覧を見る
ページTOPへ

検索