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【特別セミナー：
窒化ガリウム(GaN)系半導体結晶成長における その場観察技術】
（2022年7月）

GaNに代表される窒化物半導体は紫外～可視発光ダイオード(LED)、レーザダイオード(LD)、モバイル通信および小型パワーデバイス用HEMTなどが社会実装され、現代社会において必要不可欠な材料である。これらの素子の核である単結晶薄膜は、その量産品の全てが有機金属気相成長(MOVPE)法によって製造されていると言ってよい。高品質GaNの結晶成長は原料ガスの有機金属とアンモニアを1000℃に加熱した基板表面で反応させることによって行われる。反応炉内はブラックボックスであり、成長機構の解析や、ナノメートルオーダーでの高精度な組成・膜厚制御には“その場“観察技術が重要となる。本講演では名古屋大学で研究に用いられているその場観察技術について、実例を交えて紹介する。
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大塚電子の光干渉法と高精度分光光度計により、非接触・非破壊かつ高速、精度で膜厚測定を可能にした反射分光膜厚計についてご紹介します。

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