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大塚電子 ニュース
SEMICON Japan 2013
無事終了いたしました。
多数のご来場を頂き、誠にありがとうございました

セミコンジャパン2013にて、弊社製品の最新技術をご紹介します。
大塚電子ブースでは、「TSV Total Solution」というテーマで、ウェハーのリアルタイム厚み計測装置「SF-3」、ウェハー加工後の平坦度計測装置「SF-450M/SF-3000M」、TSV加工後の形状測定装置「TS-3000」をご紹介します。
ぜひ大塚電子ブース(5B-304)へお立ち寄りください。
また、出展社セミナー(12/5開催)でご紹介しますので、こちらにもご参加ください。
SEMICON Japan 2013
名  称 SEMICON Japan 2013  
会  期 2013年12月4日(水)~6日(金)10:00 ~ 17:00  
会  場 幕張メッセ  
入場料 無料(事前登録制)
 → 事前登録はこちら
 
主  催 SEMIジャパン  
出展ブース「5B-304」(5ホール)
出展ブース「5B-304」(5ホール)
出展製品
【 形状評価 】
  最小ビア径2μm、最大アスペクト比1:15を実現
● TSV形状検査装置 TS-3000
【形状評価】 最小ビア径2μm、最大アスペクト比1:15を実現 TSV形状検査装置 TS-3000
TSVやMEMSなどの表面形状測定が可能な装置です。独自開発の振動に強い光学系を採用し、ウェハ基板表面側からの非接触・非破壊計測によりウェハの材質(ドープ)や積層膜の影響(金属膜など)を受けない高精度測定が可能です。

測定方式 光学干渉方式
最小ビア径 2μm
最大アスペクト比 1:15
ワークサイズ φ300mmウェハ
【 膜厚評価 】
  ウェハ基板の研磨プロセス中の厚みをリアルタイムに計測
● 分光干渉式ウェハ厚み計 SF series
【膜厚評価】ウエハ基板の研磨プロセス中の厚みをリアルタイムに計測 -分光干渉式ウエハ厚み計 SF-3
高速・リアルタイムで研磨モニタが可能です。長いワークディスタンスに対応実現し、機器への組み込みが容易に可能です。高速Rθステージを付けることで、61ポイント60秒で測定可能です。

測定膜厚範囲 * 10um ~ 1mm
ワークディスタンス 3mm ~ 200nm
  * シリコン屈折率換算
【 膜厚評価 】
  多層膜の膜厚・膜質解析を高速・高精度で実現!
● 反射分光膜厚計 FE-3000
【膜厚評価装置】 多層膜の膜厚・膜質解析を高速・高精度で実現 -反射分光膜厚計 FE-3000
マルチチャンネル検出器による高速性と、顕微光学系による多機能を付加した光干渉式膜厚測定システムです。紫外可視域から近赤外域までの顕微反射スペクトルにより、多層薄膜から厚膜まで幅広いレンジの膜厚測定を高速・高精度で実現します。半導体材料、FPD材料、光記憶材料、新機能性材料など、多様化する各種膜厚、膜質解析にお応えします。

測定波長範囲 230nm ~ 1600nm *
測定膜厚範囲 1nm ~ 1mm *
検出器 PDA、CCD、InGaAs
測定項目 絶対反射率測定、多層膜厚解析、
光学定数解析(n:屈折率、k:消衰係数)
  * 仕様により測定膜厚範囲および測定波長範囲は異なります
出展社セミナーのご案内
出展社セミナーでは以下の内容でセミナーをおこないます。 ぜひご聴講ください。
テ ー マ TSV Total Solutionとして、
TSV形状測定装置およびTSVウェハ検査装置のご紹介
発表要旨 「TSV形状測定装置」は、振動に強い独自開発の光学系により、最小ビア径2μm、最大アスペクト比1:15のビア形状やレジスト残膜の情報を提供します。「TSVウェハ検査装置」は、450mmウェハに対応したTSV裏面Si厚み,ボンディング層を高速測定でマッピング情報を提供します。
対象製品 TSV形状検査装置 TS-3000
ウェハ厚み検査装置 SF series
日   時 2013年12月5日(木)10:30~11:20
会   場 国際会議場 103会議室
 → → セミナーに関する詳細はこちら
セミナー参加者全員にQUOカード(500円分)をプレゼント!
      セミナー参加者全員にQUOカード(500円分)をプレゼント!

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