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高速ウェーハ厚みマッピングシステム SF-3Rθ

最大12inchウェーハを高速にマッピング可能です。

製品に関するお問い合せ

製品情報

特 長
  • 高速にウェーハ面内の厚み情報を提供
  • 多点マッピング測定が可能
  • 最大Φ300mmウェーハの面内厚み測定が可能
  • ウェーハ研削装置やテンポラリーボンダーなど、半導体プロセス装置への
    組込み対応が可能

SF-3RΘ

 

測定項目
  • シリコンウェーハ、SiC、GaN、各種化合物ウェーハ
  • テンポラリーウェーハ

 

スペック

スペック

 

構成図

構成図

構成図

測定例

測定例

■貼り合わせウェーハ(Si/ボンディング/サポート基板)

サポートウェーハ付き仮貼り合わせウェーハ

Si膜厚分布(約775μm)
 

マッピング結果 研削後300mmウェーハシリコン厚み
ボンディング膜厚分布(約15μm)

 

 

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