 |
 |
 |
 |
無事終了いたしました。
多数のご来場を頂き、誠にありがとうございました
多数のご来場を頂き、誠にありがとうございました
セミコンジャパン2014にて、弊社製品の最新技術をご紹介します。
大塚電子では、「ウェハプロセス評価」というテーマで、ウェハーのリアルタイム厚み計測装置「SF-3」、ウェハ研磨後のウェハ厚みマッピング測定装置「SF-450M/SF-3000M」、トレンチ形成後やTSV加工後の形状測定装置「TS-3000」をご紹介します。
ぜひ大塚電子ブース（5073）へお立ち寄りください。
また、出展社セミナー（12/5開催）でも上記製品をご紹介しますので、こちらにもご参加ください。
大塚電子では、「ウェハプロセス評価」というテーマで、ウェハーのリアルタイム厚み計測装置「SF-3」、ウェハ研磨後のウェハ厚みマッピング測定装置「SF-450M/SF-3000M」、トレンチ形成後やTSV加工後の形状測定装置「TS-3000」をご紹介します。
ぜひ大塚電子ブース（5073）へお立ち寄りください。
また、出展社セミナー（12/5開催）でも上記製品をご紹介しますので、こちらにもご参加ください。
| ●名 称 | SEMICON Japan 2014 | |
| ●会 期 | 2014年12月3日（水）～5日（金）10：00 ～ 17：00 | |
| ●会 場 | 東京ビックサイト | |
| ●入場料 | 無料（事前登録制） → 事前登録はこちら |
|
| ●主 催 | SEMIジャパン |
| 【 形状評価 】 最小ビア径2μm、最大アスペクト比1：15を実現 |
||||||||
● トレンチ形状測定装置 TS-3000 トレンチやTSV、MEMSなどの表面形状測定が可能な装置です。独自開発の振動に強い光学系を採用し、ウェハ基板表面側からの非接触・非破壊計測によりウェハの材質(ドープ)や積層膜の影響(金属膜など)を受けない高精度測定が可能です。
|
| 【 厚み評価 】 ウェハ基板の研磨プロセス中の厚みをリアルタイムに計測 |
||||
● 分光干渉式ウェハ厚み計 SF series 高速・リアルタイムで研磨モニタが可能です。長いワークディスタンスに対応実現し、機器への組み込みが容易に可能です。高速Rθステージを付けることで、61ポイント60秒で測定可能です。
|
| 【 膜厚評価 】 多層膜の膜厚・膜質解析を高速・高精度で実現！ |
||||||||
● 反射分光膜厚計 FE-3000 マルチチャンネル検出器による高速性と、顕微光学系による多機能を付加した光干渉式膜厚測定システムです。紫外可視域から近赤外域までの顕微反射スペクトルにより、多層薄膜から厚膜まで幅広いレンジの膜厚測定を高速・高精度で実現します。半導体材料、FPD材料、光記憶材料、新機能性材料など、多様化する各種膜厚、膜質解析にお応えします。
|
| 【 粒径評価 】 CMPスラリー分散評価とウェハ表面解析 |
||||||
| ●ゼータ電位・粒径測定システム ELSZ-1000 series 微粒子の分散・凝集性、表面改質の指標となるゼータ電位および粒径・粒径分布を測定する装置です。CMPのスラリー液に含まれる研磨微粒子の分散安定性評価、シリコンウェハ上の表面電荷測定に利用できます。
|
出展社セミナーでは以下の内容でセミナーをおこないます。
ぜひご聴講ください。
| ●テ ー マ | パワーデバイス分野などでの「ウェハ厚み検査装置SF-3」と 「トレンチ形状測定装置TS-3000」のご紹介 |
| ●発表要旨 | 「SF-3」は、パワーデバイス向けのウェハ薄化プロセスにおいて、研磨中においては高速厚み測定を、そして研磨後においては高精度位置決めによるパターン内厚み測定を実現可能とする。また、「TS-3000」は、振動に強い独自開発の光学系により、トレンチ幅 、アスペクト比、残膜の情報を提供可能である。 |
| ●対象製品 | トレンチ形状測定装置 TS-3000 ウェハ厚み検査装置 SF series |
| ●日 時 | 2014年12月5日（金）11：30～12：20 |
| ●会 場 | 東4ホール セミナー会場 |
| → → セミナーに関する詳細はこちら | |
